Con este nuevo material podríamos ver smartphones con hasta 1 TB de capacidad de almacenamiento

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¿Sufres de poca memoria en los dispositivos móviles o smartphones? ¿Las aplicaciones utilizan mucho espacio en la memoria interna o externa? Mientras todos los usuarios han lidiado con este tipo de problemas, la Universidad de Rice han creado un material con el potencial innovador que permitirá ampliar la capacidad de los smartphones.

Tras un proceso previo de investigación y experimentación, los investigadores de esta prestigiada institución descubrieron una forma de RRAM que al ser adaptado con un equipo habitual a la temperatura ambiente hace conveniente el uso para todo tipo de gadgets. El material que es capaz de llenar los espacios vacíos de la memoria es el óxido de silicio poroso, este material ofrece a los fabricantes algo relacionado con el trabajo y no requiere tecnicismos mayores a los adquiridos, puede dar 100 veces de uso y no habría algún daño con el calor.

La densidad del material tiene como beneficio almacenar nueve bits por celda, cuando una memoria común sólo puede tres. Un gran potencial como lo es este descubrimiento que la capacidad con el transcurso del tiempo, puede ser extraordinaria. Con esta tecnología podríamos esperar la llegada de otra clase de dispositivos los cuales podrían llegar a tener hasta 1 TB de capacidad de almacenamiento.

Así los smartphones y tables podrían aprovechar esta tecnología. A pesar de los anuncios y la anticipación para atraer la atención de los usuarios, todavía tendremos que esperar bastante para ver algo así como norma común en el mercado.

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